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기술/공정 허브

반도체 공정은 설계된 회로를 실리콘 위에 실제 구조로 구현하는 과정입니다.
각 단계는 따로 존재하는 것이 아니라, 앞 공정의 결과가 뒷 공정 품질을 결정합니다.

공정이 복잡해지는 이유는 단순히 미세화 때문이 아니라, 구조/소재/측정이 동시에 얽히기 때문입니다.

  • 전공정: 트랜지스터와 기본 소자 구조 형성
  • 후공정: 금속 배선으로 회로 연결 + 평탄화

전공정에서 소자 성능이 결정되고, 후공정에서 연결 신뢰성/속도가 결정됩니다.

공정 흐름을 이해하는 핵심 포인트

섹션 제목: “공정 흐름을 이해하는 핵심 포인트”
  1. 표면을 깨끗하게 만든다 (세정)
  2. 재료를 쌓는다 (증착)
  3. 패턴을 만든다 (리소그래피 + 식각)
  4. 전기적 특성을 맞춘다 (도핑)
  5. 연결하고 평탄화한다 (금속 배선 + CMP)

표면 오염이 공정 품질을 망치는 대표 사례

노광 장비에서 패턴을 만들어내는 방식(스테퍼/스캐너)

플라즈마에서 생성된 이온이 식각/증착에 영향을 주는 메커니즘

CMP로 표면을 평탄화하는 과정

  • 세정(Cleaning)
  • 산화(Oxidation)
  • Lithography
  • Etch
  • Deposition
  • 도핑(Diffusion / Ion Implantation)
  • 금속 배선(Metallization)
  • CMP

공정은 단계별로 독립된 작업이 아니라 연결된 체인입니다.
예: 세정 품질이 나쁘면 산화막/증착막이 들뜨고, 그 결과 식각 프로파일이 흐트러져 수율이 급락합니다.