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WaferWiki

CMP

정의

섹션 제목: “정의”

CMP(Chemical Mechanical Planarization)는 화학 반응과 기계적 연마로 표면을 평탄화하는 공정입니다.
다층 배선과 미세 패턴에서 평탄도 확보는 필수입니다.

CMP 공정의 핵심 구조

섹션 제목: “CMP 공정의 핵심 구조”

CMP는 패드, 슬러리, 웨이퍼 캐리어가 맞물려 작동합니다.
이 세 요소의 조합이 제거율/결함/균일도를 결정합니다.

CMP 공정의 기본 구성 요소와 평탄화 개념

대표 결함: 디싱과 에로전

섹션 제목: “대표 결함: 디싱과 에로전”

CMP는 지나치면 금속이 파이고(디싱),
절연막이 함께 깎이는 에로전이 발생합니다.

Cu dishing과 oxide erosion의 개념

공정 제어 포인트

섹션 제목: “공정 제어 포인트”
  • 제거율(Removal Rate)
  • 균일도(Within-wafer / Wafer-to-wafer)
  • 슬러리 입자 크기/화학 성분
  • 패드 컨디션/압력/속도

공정 설계 팁

섹션 제목: “공정 설계 팁”
  • 목표는 “가장 많이 깎는 것”이 아니라 균일하게 깎는 것
  • 금속/절연막 조합에 따라 슬러리 화학 조합을 달리해야 함

자주 발생하는 문제

섹션 제목: “자주 발생하는 문제”
  • 과도 연마 → 금속 라인 손상
  • 슬러리 관리 미흡 → 스크래치/결함 증가
  • 기준 두께/측정 조건 불일치

더 공부하기

섹션 제목: “더 공부하기”