NAND

NAND는 비휘발성 메모리로, 저장 밀도와 비용 효율이 핵심 경쟁력입니다. 최근에는 3D NAND가 표준이 되었습니다.

기본 구조

NAND는 여러 셀을 직렬로 연결한 스트링 구조를 사용합니다. 셀 간 간섭을 줄이고 집적도를 높이기 위한 구조 설계가 중요합니다.

NAND 스트링 구조

스트링 길이가 길어질수록 집적도는 올라가지만, 셀 간 간섭과 신호 마진이 어려워집니다.

평면(2D) 스케일링 한계를 넘기 위해 수직 적층 구조가 도입되었습니다. 적층 공정과 식각 정밀도가 핵심입니다.

3D NAND 구조

3D NAND에서는 고종횡비 채널 홀 식각과 균일한 적층 품질이 수율을 결정합니다.

고종횡비 채널 홀 식각 예시

최근에는 **CMOS를 셀 어레이 위아래로 분리하는 아키텍처(CBA 등)**가 도입되어
집적도와 성능을 동시에 올리는 방향으로 발전하고 있습니다.

공정 이슈

최근 세대에서는 적층 수 증가와 동시에 쓰기/읽기 신뢰성을 유지하는 것이 핵심 과제입니다.

NAND는 저장장치(SSD, 모바일, 데이터센터)의 수요에 크게 영향을 받습니다.

시장 흐름